納芯微發(fā)布1200V系列碳化硅二極管

中證網(wǎng)訊（記者 孟培嘉）中國證券報(bào)記者7月10日從納芯微官方微信號(hào)獲悉，公司近期全新推出1200V系列SiC（碳化硅）二極管產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品專為光伏、儲(chǔ)能、充電等工業(yè)場(chǎng)景而設(shè)計(jì)，其在單相或三相PFC、隔離或非隔離型DC-DC電路中均展現(xiàn)出較好的效率特性，能夠滿足中高壓系統(tǒng)的需求。

據(jù)介紹，SiC作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，相較于硅具有更大的介電擊穿強(qiáng)度、更快的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。這使得碳化硅在功率半導(dǎo)體器件方面表現(xiàn)出高耐壓、高速開關(guān)、低導(dǎo)通電壓和高效率等特性，從而降低了能耗并縮小了系統(tǒng)尺寸。

納芯微表示，除了SiC二極管產(chǎn)品外，公司還在積極研發(fā)和驗(yàn)證1200V SiC MOSFET產(chǎn)品，并將于近期推出。該產(chǎn)品將經(jīng)過全面的車規(guī)級(jí)驗(yàn)證，以確保符合汽車級(jí)應(yīng)用的要求。