怪不得中國敢向美國亮劍，直接宣布制裁存儲巨頭美光科技，這是中國向美國科技霸權(quán)反擊的第一槍。顯然中國敢向美國科技霸權(quán)進(jìn)行反制，這也足以說明中國在存儲芯片領(lǐng)域已經(jīng)擁有了決定性的突破，否則中國根本就沒有能力對美國進(jìn)行反擊。然而中國的反擊也預(yù)示著在世界存儲芯片市場已經(jīng)興起了一場血雨腥風(fēng)，韓國方面就直接拋出：中國長江存儲，迅速崛起為3D NAND領(lǐng)頭羊！
要知道在存儲芯片領(lǐng)域可以大量應(yīng)用在智能手機(jī)、筆記本電腦、汽車導(dǎo)航、人工智能等領(lǐng)域，可以為相關(guān)產(chǎn)業(yè)的市場推廣和應(yīng)用提供堅實的技術(shù)基礎(chǔ)。如今中國已經(jīng)在儲存芯片領(lǐng)域取得突破，而韓國方面對此卻頗為關(guān)注。就在6月3日，韓國媒體《先驅(qū)經(jīng)濟(jì)》發(fā)表文章稱，有分析認(rèn)為，中國長江存儲登上了3D NAND閃存芯片市場的領(lǐng)頭羊位置。TechInsights的崔正東博士在國際半導(dǎo)體設(shè)備材料協(xié)會的會議上說：“就在幾年前，東芝和三星電子是存儲器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，但在技術(shù)方面，現(xiàn)在長江存儲和美光已經(jīng)上升到領(lǐng)頭羊的水平?！?/p>
長江存儲真的有崔正東博士所描述的那樣實力嗎？那我們就先要來了解一下什么是閃存芯片。存儲芯片主要分為兩大類：動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）和閃存（NAND Flash）。DRAM主要用于內(nèi)存條等臨時性數(shù)據(jù)的讀寫，閃存主要用于固態(tài)硬盤等長期性數(shù)據(jù)的保存。要知道長江存儲是在2016年成立的，由清華大學(xué)100%控股，其主要研制方向就是芯片的存儲領(lǐng)域。去年12月2日，韓國媒體《全球經(jīng)濟(jì)》發(fā)表文章稱，中國NAND閃存技術(shù)追趕速度很快。專注于NAND閃存的中國半導(dǎo)體公司長江存儲科技（YMTC）已開始量產(chǎn)232層堆疊NAND閃存。
2022年全球首發(fā)232層3D NAND Flash技術(shù)，實現(xiàn)了對國際巨頭的趕超。長江存儲還推出了自研自產(chǎn)的晶棧架構(gòu)Xtacking，能夠提高芯片的讀寫速度和穩(wěn)定性。可以說長江存儲的增長勢頭提升了尖端NAND的開發(fā)水平，韓國方面對此就認(rèn)為長江存儲已經(jīng)對三星電子和SK海力士構(gòu)成了實質(zhì)性的威脅。崔博士表示，
市面上長江存儲和美國存儲企業(yè)美光正在量產(chǎn)的232層NAND很容易買到。雖然128層和176層是NAND市場的主要產(chǎn)品，但隨著232層的量產(chǎn)和上市，三星電子和SK海力士等韓國半導(dǎo)體企業(yè)開始緊張起來。
現(xiàn)在韓國方面的狀況是三星電子雖然已經(jīng)開始批量生產(chǎn)第八代V NAND（236層）存儲芯片，但據(jù)了解，市場上的供應(yīng)量低于美光或長江存儲。也就是說三星電子的產(chǎn)能還無法從美光和長江存儲競爭，這也意味著美光和長江存儲將會占據(jù)232層閃存芯片的主流市場。這對韓國企業(yè)就意味著將會面臨越來越嚴(yán)酷的國際競爭，尤其是當(dāng)下中國不允許美光在華市場銷售，這也意味著中國大陸的存儲芯片市場將會被中國國內(nèi)企業(yè)所占據(jù)。而對于韓國企業(yè)來說無異于是噩耗，畢竟韓國企業(yè)已經(jīng)意味著沒有多大機(jī)會。
除了政治層面上的因素以外，韓國在技術(shù)領(lǐng)域上已經(jīng)被長江存儲所超越，這也意味著憑借中國的龐大生產(chǎn)能力，完全可以填補(bǔ)美光所倒出來的空缺市場。而韓國企業(yè)根本沒有能力來填補(bǔ)這個市場空缺，這不僅僅是由于韓國企業(yè)的技術(shù)限制，更存在韓國企業(yè)的產(chǎn)能制約。令韓國方面極為害怕的還不僅僅是存儲市場，更害怕的是中國長江存儲能夠如此瘋狂的技術(shù)迭代。崔博士就表示：“長江存儲跳過了NAND堆疊中間階段的176層，只用了4到5年就做到了232層，短時間內(nèi)成為半導(dǎo)體業(yè)界的領(lǐng)頭公司”。
如果按照西方國家的思維來看，中國不應(yīng)該會在技術(shù)領(lǐng)域出現(xiàn)隔代發(fā)展，這在邏輯上有些說不通?？蓡栴}是偏偏中國企業(yè)做到了這一點，中國實現(xiàn)了技術(shù)上的彎道超車。對此崔博士就強(qiáng)調(diào)：“實際上從長江存儲的產(chǎn)品分析來看，混合鍵合成熟度是相當(dāng)領(lǐng)先的?！弊鳛槲覀儌€人來講，可能并不了解其中的相關(guān)技術(shù)含量，但是作為一個專業(yè)人士做出如此之高的評價，也足以看出中國企業(yè)在技術(shù)領(lǐng)域上所取得的突破。也正因如此，中國才敢對美國亮劍，在存儲芯片領(lǐng)域中國才敢反制美國科技企業(yè)。
雖然當(dāng)下美國依然對光刻機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備對中國實施禁運，美國妄圖利用這些關(guān)鍵設(shè)備來徹底扼殺中國的芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展。但是崔博士就表示：“NAND與DRAM不同，它也不是利用極紫外線（EUV）設(shè)備，而是目前的研發(fā)設(shè)備，今后可以追加開發(fā)到第二代。雖然能否量產(chǎn)還有待觀察，但開發(fā)到300-400層完全可以?！钡敲绹年P(guān)鍵設(shè)備針對中國制裁也勢必會影響長江存儲，如果中國獲得不了光刻設(shè)備的突破，那么長江存儲也必然會受到開發(fā)生產(chǎn)的影響。不過這位韓國博士認(rèn)為，僅憑目前的設(shè)備和技術(shù)，中國實現(xiàn)300-400層NAND的開發(fā)是可能的。
而韓國方面最擔(dān)心的就是當(dāng)下，畢竟隨著長江存儲和美光科技已經(jīng)開始占領(lǐng)232層閃存芯片市場，這也意味著韓國已經(jīng)處于落后。如果韓國再抓不住現(xiàn)有的對華市場份額，韓國政府再與中國搞不好關(guān)系，那么韓國將會面臨嚴(yán)重的產(chǎn)業(yè)危機(jī)。本身當(dāng)下半導(dǎo)體企業(yè)就處于低谷時期，誰能夠把握住中國市場，誰就能在嚴(yán)重內(nèi)卷的芯片市場生存下來?？墒请S著中國科技領(lǐng)域的崛起，閃存技術(shù)的突破，已經(jīng)給韓國企業(yè)沒有多少機(jī)會了。中美科技戰(zhàn)已經(jīng)預(yù)示著韓國將會被邊緣化，再不抓住最后的救命稻草，韓國企業(yè)恐怕會更加難以為繼?。ū疚膱D片來源于網(wǎng)絡(luò)）
